Технические параметры
    Структура - n-p-n
    Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
    Напряжение коллектор-база, не более: 50 В
    Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
    Ток коллектора, не более: 0.8 А
    Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
    Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100
    Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
    Корпус: TO-92